طور فريق من الباحثين الصينين في جامعة هونان، طريقة جديدة لصنع ترانزستورات أحادية الطبقة من مواد شبه موصلة ثنائية الأبعاد، مثل الفوسفور الأسود وزرنيخيد الجرمانيوم، وهي مواد رقيقة جداً ومرنة ولديها قدرة عالية على الحركة، ما يجعلها مثالية لصناعة أجهزة إلكترونية مصغرة قابلة للارتداء.
وقال وانجينغ لي، الأستاذ في الجامعة والباحث الرئيسي للدراسة “إن صنع الترانزستورات أحادية الطبقة من مواد ثنائية الأبعاد يتطلب الكثير من العمل، لأنها هشة للغاية وتتطلب اتصالاً كهربائياً قوياً، وتستند معظمها إلى عدد قليل من المواد ثنائية الأبعاد والهياكل الشعرية.
وابتكر الباحثون تقنية ذكية لتقشير الطبقة العليا من قناة الترانزستور ثنائية الأبعاد متعددة الطبقات باستخدام معدن مسطح لتقليل سمكها والحفاظ على منطقة التلامس سميكة بدرجة كافية لضمان الأداء الكهربائي الجيد، ولإنشاء ترانزستورات أحادية الطبقة مع موصلات ثلاثية الأبعاد.
وأشار لي إلى أن هذا العمل يوضح جدوى تصنيع ترانزستورات أحادية الطبقة من مجموعة من مواد ثنائية الأبعاد باستخدام تقنية التقشير البسيطة والقابلة للتطوير.